Samsung Electronics prezentuje strategię procesów dla sektora motoryzacyjnego na Samsung Foundry Forum 2023 Europe
Samsung Foundry spotka się ze swoimi klientami i partnerami na europejskim rynku podczas dorocznego wydarzenia w Monachium
Firma Samsung Electronics Co., Ltd., światowy lider zaawansowanych technologii półprzewodników, była dzisiaj gospodarzem Samsung Foundry Forum (SFF) 2023 Europe i zaprezentowała szeroką ofertę swoich zaawansowanych rozwiązań procesowych dla sektora motoryzacyjnego, od najbardziej zaawansowanego 2-nanometrowego procesu po stary 8-calowy.
Razem ze swoimi klientami oraz partnerami z programu Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE) firma Samsung Electronics zaprezentowała najnowsze trendy technologiczne oraz swoją strategię biznesową dopasowaną do europejskiego rynku.
„Samsung Foundry wprowadza innowacje w rozwiązaniach nowej generacji, aby stworzyć rozbudowane portfolio, które zaspokaja coraz większe potrzeby naszych klientów z sektora motoryzacyjnego, zwłaszcza w obliczu nowej rzeczywistości opartej na pojazdach elektronicznych”, powiedział Dr Siyoung Choi, Prezes i Dyrektor Foundry Business w Samsung Electronics. „Zwiększamy naszą gotowość do dostarczania klientom znakomitego serwisu w ramach różnych rozwiązań, w tym półprzewodników mocy, mikrosterowników i zaawansowanych chipów AI do autonomicznej jazdy”.
Od swojego pierwszego udziału w IAA Mobility 2023 we wrześniu Samsung Electronics wzmacnia zaangażowanie i partnerstwo w obszarze procesów specjalistycznych dla klientów z sektora motoryzacyjnego na europejskim rynku, umacniając tym samym swój status wiodącego partnera odlewniczego dla tej branży.
Wprowadzanie nowych zastosowań dzięki najbardziej zaawansowanej pamięci eMRAM w branży
Aby zaspokoić potrzeby związane z najnowszymi zmianami na rynku motoryzacyjnym, Samsung planuje opracować pierwszą w branży 5-nanometrową pamięć eMRAM na potrzeby technologii motoryzacji nowej generacji. eMRAM to półprzewodnik pamięci nowej generacji do zastosowań w motoryzacji, który zapewnia szybką prędkość odczytu i zapisu, a także niezrównaną odporność na wysoką temperaturę.
Od opracowania i wprowadzenia do masowej produkcji pierwszej w branży pamięci eMRAM opartej na 28-nanometrowym procesie FD-SOI[1] w 2019 r. Samsung Electronics pracuje nad 14-nanometrową wersją na potrzeby procesu FinFET opartego na AEC-Q100 Klasa 1. Samsung Foundry planuje rozszerzyć swoje portfolio eMRAM poprzez dodanie modelu 14 nm do 2024 r., 8 nm do 2026 r. oraz 5 nm do 2027 r.
Ośmionanometrowa pamięć eMRAM firmy Samsung ma potencjał na zwiększenie gęstości o 30% i prędkość i 33% w porównaniu z procesem 14 nm.
Podbijanie rynku rozwiązaniami procesowymi dla sektora motoryzacyjnego, od przełomowych po stare
Firma ogłosiła swój plan działa w zakresie zaawansowanych procesów, w którym podkreśliła swoje plany uzyskania gotowości do wprowadzenia swojego 2-nanometrowego procesu do masowej produkcji do zastosowań w branży motoryzacyjnej do 2026 roku.
Samsung Electronics podtrzymuje również gotowość do zaspokojenia potrzeb klientów poprzez rozszerzenie swojego portfolio 8-calowych procesów BCD (Bipolar-CMOS-DMOS). Proces BCD łączy w sobie mocne strony trzech różnych technologii procesowych: Bipolar (B), CMOS (C) oraz DMOS (D) na jednym chipie, a najczęściej stosowany jest w produkcji półprzewodników mocy.
Samsung Electronics planuje rozszerzyć swój obecny 130-nanometrowy motoryzacyjny proces BCD o wersję 90 nm do 2025 roku. Zgodnie z oczekiwaniami proces BCD 90 nm ma spowodować spadek w obszarze chipów o 20% w porównaniu z procesem 130 nm.
Dzięki wdrożeniu technologii Deep Trench Isolation (DTI), która zmniejsza odległość pomiędzy każdym tranzystorem w celu maksymalizacji wydajności półprzewodników mocy, Samsung Foundry będzie w stanie zastosować wyższe napięcie na poziomie 120 V zamiast 70 V w większej liczbie zastosowań. Zapewni to gotowość do dostarczenia zestawu do opracowywania procesów (PDK), który wykorzysta napięcie 120 V w procesie BCD 130 nm do 2025 roku.
Innowacje wykraczające poza prawo Moore’a razem z Advanced Packaging Alliance
W ramach współpracy partnerami z programu SAFE, a także głównymi podmiotami w obszarze pamięci, podłoży do opakowań i testowania, firma Samsung założyła sojusz Multi-Die Integration (MDI) Alliance.
W ramach branżowej współpracy z 20 partnerami Samsung kieruje pracami nad tworzeniem rozwiązań w zakresie opakowań 2.5D i 3D spersonalizowanych do wszystkich zastosowań od branży motoryzacyjnej po wysokowydajne technologie obliczeniowe.
Firma Samsung Electronics była gospodarzem corocznego Samsung Foundry Forum 2023 w dniach 27-28 czerwca w Stanach Zjednoczonych, 4 lipca w Korei Południowej i 17 października w Japonii. Treści przedstawione podczas forum będą dostępne na stronie internetowej Samsung Semiconductor na całym świecie dla wszystkich odwiedzających od 2 listopada.
[1] Fully Depleted Silicon On Insulator (FD-SOI) to planarna technologia procesów, w której nieprzepuszczalna warstwa izolująca (SiO2) nakładana jest na wierzch wafla krzemowego, budując na jego powierzchni tranzystory, aby zminimalizować wyciek.
kontakt dla mediów
Olaf Krynicki
o.krynicki@samsung.com
tel: +48 600 088 747
informacje o firmie
O firmie
Więcej informacji można znaleźć na stronach: https://news.samsung.com/pl/ oraz http://news.samsung.com.
kontakt dla mediów
Olaf Krynicki
o.krynicki@samsung.com
tel: +48 600 088 747
informacje o firmie
O firmie
Więcej informacji można znaleźć na stronach: https://news.samsung.com/pl/ oraz http://news.samsung.com.